音質の改善や6AQ8の節約、チャレンジ等の理由で、TRIO 9R-59DS にある真空管 V7(双三極管6AQ8、それぞれのユニットはBFOとAF増幅用)をソリッドステート化、つまり、トランジスタで代用してみた。

AF増幅用のほうは、高耐圧FETで置き換えるだけで済み、とても簡単。今回は手持ちのLND150(Vds耐圧が500V、秋月より入手可)を採用。

問題はBFO用。発振周波数は 455kHz 前後と高周波ではないが、キャパシティを持たせないために、どうしてもRF用FETを使わざるを得ない。しかし、RF用FETに高耐圧のものは手持ちになく、FET+NPN型トランジスタにした。さらに、保護用ツェナーダイオードを追加。以下はその回路図。

2SK241とA42とのコンビ

2SK241は有名なRF用FET。MOS型であるため、バイアス抵抗がなくても動く。A42は MPSA42 という名称のNPNトランジスタ、Vbc最大耐圧が300V、トランジション周波数が50MHz(BFOの発振周波数に比べて十分高い)。耐圧が250V以上であれば、どんなNPN型トランジスタでもよいだろう。ツェナーダイオードは手元に10Vのものがあったので、それを使ったが、6~12Vのものならどれでもよいはず。

2SK241はIdssの小さいもの(できれば 3mA以下)がよい。手持ちにYランクのものしかないが、できればOランクがよい。

つくったものの写真を以下に示す。

変換ソケットを自作。いつでも真空管に戻すことが可能。
AF増幅側のユニット。LND150 というFETをつけるだけ。
BFO用はちょっと複雑。FET+NPN-Tr
違う角度の写真をもう一枚
キャップを被せ、真空管 6AQ8 の代わりになった。

FunctionをSSB-CWの位置にセットしたときの、ピン1番(6AQ8のプレート)の波形はつぎのようになっている。

出力波形

音質はやはりFETのほうが良い。ヒーターがないので、ハム音が大幅に低減したこともメリットのひとつ。BFOは流れる電流が6mAもあり、とても力強い。その結果として、SSBの感度(音声)が大幅にアップ。半永久に使えることは最大のメリットかもしれない。

もうひとつのOSCとして機能する真空管、V3 である6AQ8 のソリッドステート化はつぎの課題。

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