FETを数多く使ってきたが、きちんと測定したことはあまりなかった。パワーMOSFETについては先日やったが、JFETについてもいろいろと疑問を感じているところがあり、測定してみた。

精密電圧電源と精密DMM、そして実験電源があれば簡単にできると思っていたが、やってみたところ、1時間で手抜きしてやっとFET1個。10個ぐらいのサンプル数を考えているので、なかなか大変な測定作業になりそう。

というのは流れる電流による発熱温度によって測定値がよく変わるから。上がったり下がったり、温度ドリフトが5分~10分でやっと落ち着く。Vgsを0.05V刻みで0~3.3Vの範囲で測ったので、ざっと68回の測定。測定時間は1回につき、平均的に1分間満たない。そういうことで、測定結果にインチキな部分があり、参考程度にしかならないが、これ以上の根性は自分にない。

測定条件:室温25℃、Vds=10.00V。

121116-10.jpg121116-11.jpg121116-12.jpg121116-13.png線形性は良くなく、Id電流が少なければ少ないほど2次カーブになってしまう。実効値2Vの入力電圧をそのままゲートに与えたら、歪率が悪いのはいうまでもない。ボリュームかプリアンプがやはり必要。しかし、負帰還の倍率を変えることで利得を調整する金田アンプのようなものもあるので、さらなる問題究明が必要。

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